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硫硒化鋅的能隙在室溫下可從 2.7 變化到 3.7 伏特相對於藍光到紫外
光的波長， 其應用在短波長的元件深具潛力，如雷射元件和藍光二極體
。 在本實驗中，我們成功地以有機金屬化學氣相沉積法生長硫硒化鋅雙
異質結構。 在下限制層， ZnS(0.86)Se(0.14)是晶格匹配磷化鎵基板，
其 77 K 光激發光顯示出其能隙為 3.3 電子伏特，半高寬為 60 meV.中
間的發光層，其組成是 ZnS(0.42)Se(0.58)，對應的能隙是 2.98 電子伏
特，半高寬為 28.8 meV。 以蝕刻上限制層的方法，我們可驗證出雙異質
結構已經清楚的定義出了。此外，以氨為摻雜源的P型硫化硒鋅磊晶膜，
以 CV 方法得出其載子濃度為8x10^16 cm^(-3) ,其電流電壓特性下亦有
所表現。
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