氧化性，在高真空系統中，高溫時氧化鋁與液態鋁反應會生成 Al2O(g)而
揮發，在1273K 常易使鋁湯有新鮮表面，反之在得新鮮表面就不容易，所
以前人使用傳統式sessile drop方法測量液態鋁／氧化鋁之接觸角(θ)，
在 G，這與鋁湯表面的氧化有關，若為液態鋁合金，合金效應也易被
氧化干擾，使得實驗數據缺乏泛用性及可信度。 本研究針對此，
在973K，使用fresh sessile drop方法，測量鋁／氧 H探討其界面現象，
我們自行設計一真空系統，973K時壓力可達真空中擠出新鮮的鋁滴，並可
控制鋁滴之氧化暴露。實驗中，我們配製不同成份之鋁合金觀察氧化暴露
，合金效應對接觸角之影響，獲得以下幾點結果，並用熱力學理論以解釋
之。 1)在純鋁中，氧在S-L界面上對接觸角有明顯影響，當無氧存在時
， 增加θ會增加，最後會到達飽和值105°，這與氧在S-L界面，造成γ
SL增加，導致θ增加有關。 AS-L界面上的氧化與偏析對接觸角均有重大
影響，而且這二個因素會互相作用，在低氧化暴露下，銅有反潤濕(
dewetting)的現象 W加，銅會由S-L界面擴散至內部而造成θ降低，在高
氧 鞢B與氧化鋁會形成低能量的S-L界面而使θ略為降低。 A鎂含量、氧
化、偏析均會影響接觸角的行為。在低氧化 R至S-L界面上與氧化鋁形成
MgAl2O4之化合物有助於θ X，在高氧化暴露下，鋁湯表面已形成鋁鎂氧
化物，不能與氧化鋁反應，此時θ會增加。 A只要50ppm的鈹對θ就有重
大變化，這與鈹在S-L界面上偏析造成γSL升高有關。 A矽在S-L界面上會
使氧脫付，形成SiO(g)脫離，所以在低 鰡o到θ=90°，此時S-L界面為乾
淨的本質接觸。 A雖然加入錫可使γLV降低，但錫會使γSL增大，而造
成 銗L元素均不同，也印証了γSL主導著接觸角的高低。
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