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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:彭國光
研究生(外文):Preng, Gow Gwang
論文名稱:固態晶化處理後非晶矽膜之微結構與電性的關係
論文名稱(外文):The Relation between Microstructure and Electrical Property of Crystallized Amorphous Silicon
指導教授:甘炯耀
指導教授(外文):Gan, Jon-Yiew
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學(工程)研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1995
畢業學年度:83
語文別:中文
中文關鍵詞:複晶矽薄膜電晶體低壓化學氣相沉積法電漿輔助化學氣相沉積法固態晶化
外文關鍵詞:Poly-SiTFTLPCVDPECVDSPC
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複晶矽薄膜電晶體(poly-Si TFTs)由於可以應用在很多地方,過去有一些
的研究群,致力於用固態晶化(SPC)的方式,將矽膜晶粒成長的較大,會使薄
膜電晶體有較好的電性表現.在PECVD矽膜的蒸鍍上,我們用不同的蒸鍍氣
體流量,控制蒸鍍的速率,會影響到蒸鍍出矽膜的剝落與微結晶狀態.在這
個實驗中,我們發現PECVD矽膜生成的小晶粒0.3um,經過高溫處理後,晶粒
會變大成0.6um;而LPCVD生成的大晶粒2um,經過高溫處理後,晶粒會變小
成1um;在電性上,LPCVD矽膜大晶粒的電性表現,不會比經過高溫處理過的
小晶粒好;經過高溫處理的薄膜電晶體會有較好的電性表現.並且經由TEM
的觀察,經過高溫處理後的矽膜晶粒發現似乎有減少缺陷晶粒有改善的現
象.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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