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複晶矽薄膜電晶體(poly-Si TFTs)由於可以應用在很多地方,過去有一些
的研究群,致力於用固態晶化(SPC)的方式,將矽膜晶粒成長的較大,會使薄
膜電晶體有較好的電性表現.在PECVD矽膜的蒸鍍上,我們用不同的蒸鍍氣
體流量,控制蒸鍍的速率,會影響到蒸鍍出矽膜的剝落與微結晶狀態.在這
個實驗中,我們發現PECVD矽膜生成的小晶粒0.3um,經過高溫處理後,晶粒
會變大成0.6um;而LPCVD生成的大晶粒2um,經過高溫處理後,晶粒會變小
成1um;在電性上,LPCVD矽膜大晶粒的電性表現,不會比經過高溫處理過的
小晶粒好;經過高溫處理的薄膜電晶體會有較好的電性表現.並且經由TEM
的觀察,經過高溫處理後的矽膜晶粒發現似乎有減少缺陷晶粒有改善的現
象.
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