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研究生:

江松燦

研究生(外文):

Chiang song tsang

論文名稱:

具氧化矽-氮化矽-氧化矽電容層結構之矽微條探測器漏電流的研究

論文名稱(外文):

THE STUDY OF THE SILICON MICROSTRIP DETECTOR WITH OXIDE-NITRIDE -OXIDE CAPACITOR ON LEAKAGE

指導教授:

黃倉秀

指導教授(外文):

Huang T.S.

學位類別:

碩士

校院名稱:

國立清華大學

系所名稱:

材料科學(工程)研究所

學門:

工程學門

學類:

材料工程學類

論文種類:

學術論文

論文出版年:

1995

畢業學年度:

語文別:

中文

中文關鍵詞:

矽微條、漏電流

外文關鍵詞:

ONO、LEAKAGE

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被引用:0
點閱:366
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本研究探討植入離子種類,劑量,退火溫度及ONO薄膜製程等的實驗條件對
ONO矽微條探測器之漏電流的影響;發現試片曾遭受巨大的剪應力,而來源
卻是ONO薄膜;低壓化學沉積成長的氮化矽是張應力的薄膜,於是我們改變
氮化矽的製程,由低壓化學沉積法轉為電漿化學沉積法,因而降低漏電流;
所以,在適當的離子植入和退火條件下,ONO薄膜的製程對漏電流的降低是
很重要的。

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