封面
目錄
摘要
致謝
第一章 簡介
1.緒論
2.金屬/半導體接面的理論
3.歐姆接面材料的文獻回顧
3.1含高濃度載子的歐姆接面
3.2含低能障的歐姆接面
4.固相再成長機構
第二章 實驗流程
1.晶片清洗
2.離子佈值
3.SiOx保護層的製備
4.活化退火及霍爾量測
5.定義圖形
6.金屬薄膜的製備及成份分析
7.快速熱退火
8.片電阻量測
9.比接面電阻量測
10.SiNx保護層的鍍製
11.時效退火
12.歐傑電子能譜元素縱深分佈分析
13.X光繞射分析
14.掃描式電子顯徵鏡(SEM)分析表面形態
15.穿透式電子顯徵鏡試片的製備
15.1平面觀察試片
15.2橫截面觀察試片
16.穿透式電子顯徵鏡觀察
17.能量分散光譜(EDS)分析
第三章 Pd-In、Pd/In/Pd歐姆接面的異同
1.動機
2.實驗流程概述
3.實驗結果
3.1片電阻量測
3.2TLM圖形的量測結果
3.3比接面電阻與退火溫度的關係
3.4比接面電阻與時效退火時間的關係
3.5X光繞射分析
3.6歐傑電子能譜成份縱深分佈分析
3.7試片表面的觀察結果
3.8橫截面試片的觀察
3.9界面處晶格影像的觀察
4.綜合討論
4.1Pd/In/Pd與Pd-In試片中Inx Ga1-xAs生成機構的差異
4.2InxGa1-xAs的生成與比接面電阻的關係
4.3接面在時效退火過程中的穩定性
4.4薄膜片電阻與生成相的關係
4.5薄膜結構與表面型態的關係
5.結論
第四章 Ni-In及Ni/In/Ni歐姆接面的電性與微結構
1.動機
2.實驗流程概述
3.實驗結果
3.1片電阻量測
3.2I/V特性
3.3比接面電阻與退火溫度的關係
3.4薄膜反應的生成相
3.5表面形態
4.綜合討論
4.1I-V特性與界面反應物的關係
4.2TLM圖形不適用的原因
4.3Ni/In接面與Ni/In/Ni接面反應結果的異同
4.4鍍膜結構與表面平整性的關係
4.5Ni-In接面表面平整性與界面反應的關係
4.6Ni/In/Ni接面中InxGa1-xAs的生成機構
4.7薄膜化學穩定性與相生成熱的關係
5.結論
第五章 夾入Ge薄層的PdIn歐拇接面的特性
1.動機
2.實驗流程概述
3.實驗結果
3.1比接面電阻與退火溫度的關係
3.2比接面電阻與時效退火時間的關係
3.3界面處的晶格影像
3.4歐傑電子能譜成份縱深分佈分析
3.5表面形態觀察
4.綜合討論
4.1Ge薄層在Pd-In/Ge/Pd-In及Pd-In/Ge中的影響
4.2加入Pd薄層影響
5.結論
第六章 歐姆接面熱穩定性的改進
1.動機
2.實驗流程概述
3.實驗結果
3.1比接面電阻與時效退火時間的關係
3.2歐傑電子能譜成份縱深分佈分析
4.綜合討論
5.結論
第七章 總結與未來研究方向
1.總結
2.未來研究方向
參考文獻
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