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研究生:詹元昌
研究生(外文):Yuen-Chang Chan
論文名稱:矽鍺元件氧化製程之研究
論文名稱(外文):The Study of SiGe Oxidation Process
指導教授:張守進, 陳良波
指導教授(外文):Shoou-Jinn Chang, Liang-Po Chen
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:中文
論文頁數:70
中文關鍵詞:矽鍺氧化
外文關鍵詞:SiGeoxidation
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在這篇論文中,我們研究討論以下四種矽鍺合金的氧化製程:(1) 在高溫
爐管中,以650℃進行溼氧化(wet oxidation), (2) 900℃至1000℃的快
速升溫氧化製程(RTO),(3) 利用直接光激化學氣相沉積(DPCVD)在低溫成
長二氧化矽,(4) 藉由遠紫外光(VUV)照射分解氧分子所引發的矽鍺氧化
製程。高品質的二氧化矽薄膜成長可由快速升溫氧化方式達成,而且矽鍺
磊晶層仍保有良好的磊晶應力。相反的,經過650℃, 60分鐘的爐管氧化
過程後,矽鍺的磊晶面有部份的應力已經瓦解 (strain-relaxed)。至於
利用直接光激化學氣相沉積在200℃以下成長的二氧化矽,崩潰電場強度
可達16MV/cm。此外,在此系統中,藉由遠紫外光分解氧分子引發的矽鍺氧
化過程,我們發現除了矽以外,鍺元素也被氧化,形成二氧化矽/二氧化
鍺混合的氧化層。

The study of Si1-xGex oxidation was carried out in conventional
furnace at 650℃, Rapid Thermal Processor (RTP) at 900-1000℃,
and direct photo-CVD (DPCVD) system including both SiO2
deposition and VUV-induced oxidation at lower than 200℃. High
quality oxide with Dit=4.1E11 cm-2eV-1 was grown on Si/Si1-xGex/
Si hetero-junction by RTO at 900-1000℃ for 30sec without
significant strain- relaxation while 650℃ thermal oxidation in
conventional furnace for 60min will make the strain partially
relaxed during the thermal-cycle. SiO2 deposition by DPCVD
without Ge-rich layer was performed at ultra-low temperatures
(50℃ to 200℃) with the break-down field of 16MV/cm. Also, in
the VUV-induced oxidation, Ge-rejection from oxide layer was
eliminated and a SiO2/GeO2 mixed oxide layer was formed.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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