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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:林育賢
研究生(外文):Yu-Shyan Lin
論文名稱:高性能實空間傳輸元件之研製
論文名稱(外文):High Performance GaAs/InGaAs and InAlAs/InGaAs Real-Space Transfer Devices
指導教授:許渭州
指導教授(外文):Wei-Chou Hsu
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:中文
論文頁數:62
中文關鍵詞:實空間轉移二極體非淬火燒結型歐姆接觸下集層實空間轉移電晶體
外文關鍵詞:RSTDnonalloyed ohmic contactssewer layerRSTT
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在本文中, 首先採用低壓有機金屬氣相沉積法成長砷化銦鋁 /砷化銦鎵兩
端型實空間轉移二極體,傳統的實空間轉移二極體,其負微分電阻的峰對谷
值電流比受限於電子移動率比例, 因此我們提出了載子濃度調變的構想,
利用非淬火燒結型歐姆接觸及下集層,可得到相當高的峰對谷值電流比,
在室溫及77 K時, 其峰對谷值電流比分別為 140,000及1,000,000, 這是
到目前為止,砷化銦鋁/砷化銦鎵實空間轉移系統中最大的.再者,也提出三
端型δ-摻雜砷化鎵/砷化銦鎵實空間轉移負微分電阻場效電晶體.對步階
式和漸變式通道而言,在室溫其最大峰對谷值電流比分別為260,000
和33,500.在我們所研製的負電阻元件中, 都具有非常高的峰對谷值電流
比,非常陡峭的電荷注入,寬谷值電流區以及高電流驅動能力的特性.另外,
對於步階式和漸變式通道異質結構場效電晶 體而言,其轉導值分別可高
達150和124mS/mm.為了研究量子井二維電子氣的電子特性,我們使用SdH測
量法,並分為照光與不照光,探討照光後電子特性的不同.為實現光電積體
電路,未來我們將朝發展邏輯電路,記憶元件,發光元件的方向來努力.

In this thesis, we have successfully fabricated a novel
InAlAs/InGaAs two- terminal real-space transfer diode (RSTD)
low-pressure metalorganic by chemical vapor deposition for
the first time. In the conventional real-space transfer, the
peak-to-valley current ratio (PVR) is limited by the mobility
ratio. By virtue of nonalloyed ohmic contacts and a sewer
layer, a significantly larger PVR resulting from the carrier
density modulation than from mobility modulation can be
achieved. The PVR up to 140,000 (1,000,000) at 300 (77) K
are, to our knowledge, among the best for InAlAs/ InGaAs
structures. Furthermore, three-terminal δ-doped GaAs/InGaAs
negative resistance field-effect transistors based on
real-space transfer have been demonstrated and studied. The
maximum PVRs are as high as 260,000 and 33,500 for two-step
and graded InGaAs channel RSTTs, respectively. All structures
proposed in this work show high peak-to-valley current
ratio, sharp charge injection, broad valley current range, and
high current driving capability. In addition, the
maximum extrinsic transconductances are as high as 150 and 124
mS/mm in two-step and graded HFETs, respectively. To
study the 2DEG in GaAs/InGaAs quantum well, we used the
Shubnikov-de Hass (SdH) measurements, which is very
effective in characterizing the electronic properties. In the
near future, we will develop the logic circuits, memory
devices, and light-emitting devices for opticelectronic
integrated circuits (OEICs).

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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