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研究生:湯國良
研究生(外文):Kuo-Liang Tang
論文名稱:單石微波積體電路低雜訊放大器之設計
論文名稱(外文):The Designs for Monolithic Microwave Integrated Circuit Low noise Amplifiers
指導教授:蘇炎坤蘇炎坤引用關係張守進張守進引用關係陳風河陳風河引用關係
指導教授(外文):Y.K.SuS.J.ChangF.H.Chen
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:英文
論文頁數:70
中文關鍵詞:低雜訊放大器
外文關鍵詞:Low noise amplifier
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本篇論文將闡述以砷化鎵單石微波積體電路技術來設計適用於個人通訊系
統,頻段為1.8GHz-2.0GHz的低雜訊放大器。單石微波 路低雜訊放大器晶
片包含了主動元件(如金半場效電晶體)和匹配電路的被動元件(如迴繞式
電感和電容)。為了縮小晶片的尺寸,迴繞式電感可同時作為射頻阻隔元
件,而電容亦具有直流阻隔器的功能。我們將分別討論幾個影響電路性能
表現的因素,如(1)直流 性,(2)放大器的穩定度及(3)匹配電路之設計及
最佳化。 我們也將探討場效電晶體閘極寬度對放大器雜訊的影響, 並選
取適當的閘極寬度以兼顧放大器雜訊表現及電流消耗的情況。在頻段1.8
GHz-2.0GHz時,場效電晶體閘極寬度6*75um的二級雜訊放大器LNA6A,其
雜訊約為2.2dB,小訊號增益約為20.6dB。而具負回授形態的低雜訊放大
器LNA6B,其雜訊表現約為2.56dB,小訊號增益約為20.9dB。 在 雜訊放
大器LNA6C中,其第一級場效電晶體閘極寬度為6*75um,第二級場效電晶
體閘極寬度為6*50um,而其放大器雜訊約為2.2dB,小訊號增益約為20dB
。閘極寬度皆為6*50um的二級雜訊放大器LNA6D,其雜訊表現約為2.62dB
,小訊號增益約為21dB。

Low noise amplifiers which operate between 1.8GHz - 2.0GHz
frequency band have been designed for personal
communication system application by using GaAs monolithic
microwave integrated circuit (MMIC) technology.MIC LNA chip
contains MESFET's as active elements and spiral inductors and
capacitor as passive elements. To reduce the chip size, the
spiral inductors also function as RF choke and the capacitors
function as dc blocking elements. Several important factors,
which mainly determine the circuit performances, were
discussed in detail. They are (1) dc bias consideration, (2)
amplifierstability, andching networks design and circuit
optimizations. On the other hand, the gate width effect on
noise performances was also illustrated. The selection of the
FETwidth was baesd on the consideration of compromise between
noise figure and current consumption. The two-stage LNA6A with
6*75um gate width MESFETs exhibits a 2.2 dB noise figure and
20.6 dB gain between 1.8-2.0 GHz. The negative feedback type
two stage LNA6B shows a 2.56 dB noise figure and 20.9 dB gain
over 1.8-2.1 GHz. The two-stage LNA6C, which first stage MESFET
gate width is 6*75 um and the second stage MESFET gate width
6*50 um, exhibits the noise figure NF=2.2 dB and G=20 dB. The
two stage amplifierLNA6D, in which both of MESFETs have gate
width of 6*50 um, shows 2.62 dB noise figure and 21 dB gain in
the same frequency band.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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