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研究生:張書政
研究生(外文):Chang, Shu-Cheng
論文名稱:質子佈植製作高功率0.85um寬面積雷射
論文名稱(外文):High power 0.85um broad area laser fabrication by proton implantation
指導教授:戴國仇
指導教授(外文):Kuochou Tai
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:光電工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:中文
論文頁數:47
中文關鍵詞:雷射二極體高功率寬面積半導體雷射
外文關鍵詞:laser diodehigh powerbroad areasemiconductor laser
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在本篇文章中,我們介紹以分子束磊晶和質子佈植所做的寬面積、波長
為0.85um的單量子井AlGaAs/GaAs半導體雷射。另外,在雷射兩個鏡面分
別鍍上抗反射和高反射的介電質薄膜,用以增加其單邊的光輸出功率。對
一個長1mm寬100um的共振腔而言,其臨界電流密度為230A/cm2而臨界電流
則為230mA。在2.5A的注入電流時,室溫輸出光的功率可達2瓦連續波操作
。其特性溫度T0在5~35C之間為139K,外部量子效率達0.72,內部損耗係數
為3.585cm-1。此雷射的表現以足可應用於商業的需求上。

In this thesis, we report the fabrication of broad area high
power 0.85 um single quantum well AlGaAs/GaAs graded index
separate confinement (GRINSCH SQW) lasers by proton implantation
and molecular beam epitaxy techniques.Lasers withand without
anti-reflection and high-reflection coating on the two facets
arecompared. Low threshold current density of 230 A/cm2 and
threshold current of230 A are obtained for a 100 um wide and 1
mm long cavity. At 2.5 A injection, laser output reaches 2 W at
room temperature CW condition.The characteristic temperature T0
is 139K (5~35C), slope effiency is 1.06W/A , wall plug
efficiency is 38% and the internal loss is 3.585cm-1. The
thermal resistance ofpackaged device is 9.6 K/W. The performance
of our lasers is comparable to thestate of art devices that is
commerically available.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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