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研究生:洪偉鵬
研究生(外文):Houng, Wei-Perng
論文名稱:在不同長晶條件下以垂直布氏長晶法生長之AgGas2單晶的材料結構與電性研究
論文名稱(外文):Study of Structural and Electrical Properties in Single Crystal AgGaS2 Grown by Vertical Bridgman Method Under Different Growth Conditions
指導教授:張振雄
指導教授(外文):Chen-Shiung Chang
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:光電工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:中文
論文頁數:59
中文關鍵詞:銀鎵硫
外文關鍵詞:AgGaS2
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本研究主要在以垂直布氏長晶法生長 AgGaS2 單晶. 利用X光繞射法
以及穿透式電子顯微鏡來確認所長成之晶體在成份及結構上確為 AgGaS2
單晶的形態. 將我們所長出的晶體做塊材 X-Ray 的分析並與標準的
JCPDS 比對結果發現除了 AgGaS2 的繞射峰外尚有兩個可能為 Ga2S3 的
繞射峰存在. 若將試片與試片重量 0.05 % 的 Ag2S 一起封入石英管中進
行高溫熱處理後 Ga2S3 繞射峰己不存在. 在確定所長的單晶品質後,
我們嘗試加快(60mm/day)及減慢(15mm/day)長晶的速率, 以及拉高長晶時
的固/液相接面溫度梯度(44C/cm). 在塊材 X-Ray 的量測中可以看出愈慢
的長晶速度以及愈高的固/液相界面溫度梯度可以長出品質較好的單晶且
內部的析出物亦明顯的較少.

In this study , we are interested in growing AgGaS2 single
crystal by vertical Bridgman method . X-Ray diffraction and TEM
are used to observe the constitution and structure of as-grown
AgGaS2 crystal . By comparing the resultof bulk X-Ray with the
JCPDS data three diffraction peaks , one from AgGaS2 andtwo from
Ga2S3 , are found . The diffraction peaks of Ga2S3 are
disappeared when heat treatment on AgGaS2 with 0.05wt.% Ag2S in
sealed quartz tube is done. The growth conditions , including
growth rate and temperature gradient , are tried to change and
find out the best conditions to grow the crystal . Fromthe
analysis of bulk X-Ray it indicates higher quality of crystal
can be obtained under cinditions of slower growth rate and
higher temperature gradient.And thus the density of precipitates
decrease appraently .

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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