(3.234.221.67) 您好!臺灣時間:2021/04/11 16:24
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:莊忠仁
研究生(外文):Juang, Jung-Ren
論文名稱:Zn在GaAs,InP.GaP半導體中的快速熱擴散
論文名稱(外文):Rapid Thermal Diffusion of Zinc Atoms in GaAs,InP.GaP Semiconductors
指導教授:楊賜麟
指導教授(外文):Su-Lin Yang
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子物理學系
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:中文
論文頁數:100
中文關鍵詞:擴散快速熱程序
外文關鍵詞:ZnGaAsInPGaPZnGaAsInPGaPDiffusionRTP
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:314
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本論文主要在探討Zn原子在GaAs,InP和GaP 半導體中的快速熱擴散現
象.Zn/SiO2和ZnO/SiO2薄膜以共濺鍍(co-sputtering)方式,沈積在半導體
基底上作為固體擴散源。而雜質的擴散分佈是由二次離子質譜儀(SIMS)來
檢測;雙晶x-ray繞射(DCXD)和拉曼光 譜的量測主要
是用來作為雜質經濺鍍和擴散之後的晶格匹配和樣品表面的重構分析.
基於取代-擠壓機制的模型,我們發現在快速熱程序(RTP)時,Zn的擴散主要
決定於溫度的變化過程.基底和擴散源間熱膨脹係數的差異所造成的應力
為加強Zn在基底中擴散的主要因素.由DCXD的結果顯示摻有Zn的GaAs和GaP
樣品晶格匹配,而在InP的樣品中其晶 格不匹配程度可
達1.5*10-4.由拉曼光譜顯示當650C,15秒快速熱擴散時對濺鍍有Zn/SiO2
和ZnO/SiO2薄膜的GaAs基底表面有退火的作用.

In this thesis work,we studied the rapid thermal diffusion
behavior of Zn atoms in GaAs,InP,and GaP semiconductors.Zn/SiO2
and ZnO/SiO2 films were co-sputtered onto the semiconductor
substrates as diffusion sources in solid-phase form. The
impurity distribution profiles were examined by secondary- ion-
mass spectrometry(SIMS). Double crystal x-ray diffraction (DCXD)
and Raman spectroscopy were performed to analyze the conditions
of lattice mismatching and surface reconstruction of samples
after diffusion and puttering.

Based on substitutional-interstitial model, we verify that the
Zn diffusionprocess is strong controlled by the temperature
history during rapid thermal process. The strength of stress due
to the significance of thermal expansiondifference between
substrates and diffusion-source films was attributed to the
main factor to enhance the Zn diffusion in the substrates. The
DCXD resultsindicate well lattice-matching of Zn-doped GaAs and
GaP samples,while thelattice-mismatching degree can reach to
1.5*10-4 for Zn-diffused InP substrates.Raman spectra reveal
that the rapid thermal process at 650C for 15sec can
improve the surface quality of GaAs substrate with Zn/SiO2
and ZnO/SiO2 deposition.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
無相關期刊
 
系統版面圖檔 系統版面圖檔