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研究生:楊士賢
研究生(外文):Yang, Shih-Hsien
論文名稱:次微米n-通道金氧半場效電晶體之模擬和分析
論文名稱(外文):Simulation and Characterization of Submicrometer n-MOSFETs
指導教授:吳慶源
指導教授(外文):Wu Ching-Yaun
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:中文
論文頁數:28
中文關鍵詞:次微米n-MOSFET模擬可靠度
外文關鍵詞:n-MOSFETsimultionreliability
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本文將描述含有短通道效應之淺摻雜汲極金氧半場效電晶體的萃取技術,
其中包括有效通道長度,通道摻雜濃度分佈,源/汲極摻雜濃度分佈,及由逆
短通道效應造成的摻雜濃度重新分佈.同時,本文亦將移動率模式之參數萃
取出來.利用這些萃取出來的參數,本文可以將製造完成的次微米n-通道金
氧半場效電晶體之I-V特性模擬得非常好.另外,本文將詳盡的探討熱載子
對元件特性退化的影響,並且利用電荷幫浦法來分析.從介面陷阱和氧化層
陷阱的分佈, 我們可以得到在直流應力下介面陷阱或氧化層陷阱的產生和
n-通道金氧半場效電晶體的特性退化之間的關係.正的氧化層陷阱產生可
經過長時間的應力下觀察到.經由這些分析所提出來的方法,我們可以改進
元件的設計來達到高效率和高可靠度的應用.

The extraction techniques for submicrometer LDD n-MOSFETs with
the Reverse-Short-Channel Effect(RSCE) are described, which
include theeffective channel length, implant profiles in channel
and source/drainregion, the doping redistribution due the the
reverse short channel length effect. Moreover, the model
parameters in the mobility model areextracted. It is shown that
based on the extracted parameters the I-Vcharacteristics of
experimental submicrometer n-MOSFETs can be simulatedvery well.
In addition, a detailed study on the hot-carrier effect(HCE)
ondevice degradation is made and analyzed by the Charge-Pumping(
CP) technique.From the interface traps and oxide traps
profiling, we can obtain the relationships between generation of
interface traps or oxide traps and the degradation stress
conditions. The positive oxide charge generation is observed
after a long time stress. Based on these analyses, the proposed
methods can improve device design for high-performance and
reliability applications.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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