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研究生:蔡文隆
研究生(外文):Tsay, Wen-Long
論文名稱:多元素靶之蒙地卡羅噴濺模擬
論文名稱(外文):Monte Carlo Simulation of Sputtering in Multicomponent Target
指導教授:郭雙發
指導教授(外文):Guo Shuang-Fa
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:中文
論文頁數:53
中文關鍵詞:蒙地卡羅多元素靶噴濺模擬質量效應鍵結效應
外文關鍵詞:Monte Carlomulticomponent targetsputteringsimulationmass effectbonding effect
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吾人發展完成一種蒙地卡羅模擬程式, 可用來決定多元素靶如合金, 氧
化物, 矽化物 等在噴濺過程中各元素被噴濺出表面的產率. 並藉質量效
應及表面鍵結效應說明元素 被優先噴濺出的現像. 由於本程式採用各元
素依特性具不同鍵結能量, 較 TRIM 程式 採用各元素具相同鍵結能量更
能說明鍵結能量低者被優先噴濺出的現像. 在本程式中 主要採莫里耳及
ZBL 電位以及 LSS 電子阻擋模式, 其模擬結果與實驗值有良好一致 性.

A Monte Carlo simulation program has been developed to
calculate sputtering yields of multicomponent targets such as
alloys, oxides and silicides. A preferential phenomenon has
been studied by the effects of mass and bonding energy. The
main difference between this work and TRIM is the model of
surface bonding energy. In this program different component has
different bonding energy in the multicomponent targets. In TRIM
the same average surface bonding energy has been adopted for
every component of the target. So it can be explained more
easier that the component with lower surface bonding energy is
preferred sputtering. In this work Moliere, ZBL interatomic
potential and LSS electronic stopping have been adopted, the
simulated results show good agreement with the experimental
data.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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