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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:曾國權
研究生(外文):Zeng, Guo-Quan
論文名稱:STUDYOFTHEDELTA-DOPEDInGaP/InGaAs/GaAsPSEUDOMORPHICMODULATIONDOPEDFIELD-EFFECTTRANSISTORS
指導教授:施敏施敏引用關係
指導教授(外文):SHI, MIN
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:84
語文別:中文
論文頁數:35
中文關鍵詞:SUBNIKOV-DE HAAS 量測方法電子工程截止頻率最大異質互導二維電子雲密度
外文關鍵詞:ELECTRONIC-ENGINEERING
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我們利用SUBNIKOV-DE HAAS量測方法,在絕對溫度零點六度時,發現DELTA摻雜的磷
化銦鎵材料具有二維電子雲的存在。次能帶的能位及次能帶上的波函數是利用自組式
計算法解帕松和薛丁格方程式得來的。測得的三個次能帶上的二維電子雲密度分別為
1.73*,0.87*及0.086*。計算出四個次能帶的能位分別為-39.33,-12.31,-8.00及
-4.09meV。
一個閘長2um,n-型磷化銦鎵/砷化鎵的調變摻雜電晶體展示一個74mS/mm的最大異
質互導,一個 121mS/mm的最大本質互導。這元件具有一個源極電阻50歐姆,一個最
大振盪頻率()16GHz,一個截止頻率()6.2GHz。
第二種元件是一個閘長1.2um,DELTA摻雜磷化銦鎵/砷化銦鎵/砷化鎵的調變摻雜場
效電晶體。展示一個64mS/mm的最大異質互導,一個163mS/mm的最大本質互導,這
元件具有一個源極電阻50歐姆,一個最大振盪頻率()13.4GHz,一個截止頻率()
5.2GHz。最大異質互導值不高是由於高源極電阻和低電子遷移率所致。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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