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研究生:林恭如
論文名稱:砷離子佈植砷化鎵超快光電特性及其應用之研究
論文名稱(外文):= Arsenic-implanted GaAs
指導教授:潘犀靈
學位類別:博士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:光電工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:中文
論文頁數:174
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封面
中文摘要
英文摘要
誌謝
目錄
第一章
1-1 超快光學與光電子學沿革
1-2 超快電子與光電材料及元件之研究
1-3 超快現象探測系統的建立與發展
1-4 研究動機,方法與論文架構
參考文獻
圖表目錄
第二章
2-1 引言
2-2 實驗方法
2-3 晶體結構特性分析
2-4 電性分析
2-5 雜質特性分析
2-6 結論
參考文獻
圖表目錄
第三章
3-1 引言
3-2 以反射式泵探系統量測載子生命期的理論基礎
3-3 實驗方法
3-4 載子生命期分析
3-5 超快光學特性
3-6 結論
參考文獻
圖表說明
第四章
4-1 引言
4-2 光導開關基本特性參數分析
4-3 實驗方法
4-4 光導開關的基本參數分析
4-5 光導開關時域響應分析
4-6 結論
參考文獻
圖表說明
第五章
5-1 引言
5-2 半導體表面 THz 輻射發生機制與量測系統工作原理
5-3 實驗方法
5-4 結果分析
5-5 結論
參考資料
圖表目錄
第六章
6-1 總結
6-2 未來工作方向
附錄 A 影響半導體的折射率變化的幾種效應
附錄 B 鉭酸鋰晶體的電光效應
附錄 C 使用Jones matrices 分析反射式電光取樣系統
附錄 D THz輻射電場分析
附件一 期刊論文
附件二 會議論文
簡歷
含參考書目
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