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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:葉明源
研究生(外文):Ming-Yuan Yeh
論文名稱:氮化鎵之歐姆接觸及蕭特基接觸製作與分析
論文名稱(外文):Fabrication and analysis of ohmic and Schottky contact on GaN
指導教授:李清庭
指導教授(外文):Ching-Ting Lee
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:光電(科學)研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:中文
中文關鍵詞:傳輸線模型歐姆接觸蕭特基接觸
外文關鍵詞:TLMohmic contactSchottky contact
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本論文利用鋁,鈦/鋁及釹/鋁金屬作為歐姆接觸金屬蒸鍍在N型氮化鎵基
板上。利用高溫快速熱退火及熱退火方式,控制升溫及降溫速率,退火溫
度以及退火時間等參數,以尋求最佳歐姆接觸電阻的製程參數。並利用傳
輸線模型測量其特徵接觸電阻值,以獲得最佳的歐姆接觸電阻。在文中並
利用金,鉑及鎳金屬製作蕭特基接觸,因為此三種金屬具有較高的金屬功
函數,並利用電流-電壓法以及電容-電壓法量測其位障高度,探討金屬與
半導體之間位障的關係。在實驗結果方面,以釹/鋁作為歐姆接觸之金屬
,在熱退火及快速熱退火方面其特徵接觸電阻值皆較鋁及鈦/鋁為低,為
一好的歐姆接觸金屬。在蕭特基接觸方面我們可以發現鉑具有最高的位障
高度,也由於不同金屬所作之蕭特基接觸其位障高度皆有明顯的差異,間接
的亦證明了氮化鎵具有較少的表面能階,而使得蕭特基位障高度的形成和
接觸金屬的功函數有極密切的關係。

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