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研究生:劉孟昌
研究生(外文):Meng-Chang Liu
論文名稱:次微米砷化銦鋁/砷化銦鎵通道摻雜場效應電晶體製作及特性分析
論文名稱(外文):Device Fabrication and Characterization of Submicron InAlAs/ InGaAs Doped Channel Field Effect Transistor
指導教授:詹益仁詹益仁引用關係
指導教授(外文):Prof. Yi-Jen Chan
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:中文
中文關鍵詞:深紫外光砷化銦鋁/砷化銦鎵應變式晶格匹配
外文關鍵詞:Deep UVInAlAs/InGaAsPseudomorphicLattice-matched
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本論文目的, 在研究以分子束磊晶成長於磷化銦基板上的砷化銦鋁 / 砷
化銦鎵通道摻雜場效應電晶體; 藉由兩種結構的比較, 了解元件在次微米
閘時的直流與高頻特性. 由於砷化銦鎵通道中具有較高的銦成份因此較以
砷化鎵為基板的場效應電晶體, 其元件特性可進一步改善.首先, 藉由實
驗求得最佳歐姆金屬組成與溫度. 次微米閘的製作以深紫外光源及雙層光
阻( PMMA/P(MMA-MAA) ) 製程, 可達最小金屬閘極線寬0.4 微米. 唯元件
的製作與特性量測, 在良率的考慮下, 以0.6 微米為最小的閘極線寬.藉
由兩種磊晶結構及不同閘極線寬的比較, 探討元件直流與高頻特性以及短
通道效應. 0.6 微米閘極線寬的應變式( 銦成份: 0.6 )結構, 與晶格匹
配( 銦成份: 0.53 )結構, 其通道飽和電流分別是 490 mA/mm 和 400
mA/mm; 最大轉導值分別是 406 mS/mm 和 316 mS/mm;截止頻率分別是
41 GHz 和 32 GHz ; 最大振盪頻率分別是 90 GHz 和 60 GHz.由於應變
式結構較晶格匹配結構, 通道中具有較高的銦成份, 優越的載子傳輸特
性, 和較大的導電帶不連續; 所以元件具有更佳的直流和高頻特性, 而短
通道效應亦可獲得改善.
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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