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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:梁乃元
研究生(外文):Nai-Yuan Liang
論文名稱:多孔矽發光二極體發光特性與電流導通機制的探討
論文名稱(外文):Electroluminescence Properties and Current-Conduction Mechanism of Porous Silicon Light-Emitting Diodes
指導教授:洪志旺
指導教授(外文):Prof. Jyh-Wong Hong
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:英文
中文關鍵詞:多孔矽光激光電激光
外文關鍵詞:porous siliconphotoluminescenceelectroluminescence
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本篇論文主要是探討以多孔矽(porous silicon)材料製造的發光二極體(
light-emitting diode)的光電特性。文中提出兩種結構的多孔矽發光元
件:p-n-i-p-n 型及 p-n-i-n-p-n 型,藉由結構上的改變來增加其電流
注入效率進而提昇其亮度。本文並且探討p-n-i-p-n 型多孔矽發光二極體
元件的電流導通機制。經陽極氧化(anodization) 所獲得的多孔矽在He-
Cd雷射照射之下,其光激光譜出現了三個明顯的峰值,分別位於橘紅光、
綠光及藍光波段,但由於橘紅光波段的信號強度較其餘兩信號強,所以在
雷射照射下呈現橘紅色的光。所研製的多孔矽發光元件都具有不錯的整流
特性。p-n-i-p-n型多孔矽發光二極體在電流密度為600 mA/cm2 時,其發
光亮度大約11 cd/m2 。再藉由電流對電壓特性隨溫度的變化情形得知:
加低電壓時,以Frenkle-Poole導通機制為主;但加高電壓時,則以場穿
透注入( field-tunneling injection)為元件的主要的導通機制。 p-n-
i-n-p-n型多孔矽發光二極體是在p-n-i-p-n型多孔矽發光二極體結構中再
多加入一層薄的n型非晶矽,以減少其電子位障的寬度,進而提高電子穿
透注入到多孔矽層的機率及增加其發光亮度。實驗結果顯示其電流密度在
同樣為600 mA/cm2 時,其發光亮度大約是p-n-i- p-n型者的兩倍。上述
兩種類型多孔矽發光元件均有很低的電激光臨界電壓,且在暗室中均可以
肉眼看到發出的橘紅光。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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