(3.238.174.50) 您好!臺灣時間:2021/04/11 12:57
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:邱辰甫
研究生(外文):Chen-Fu Chiu
論文名稱:具有低阻反射n層非晶碳化矽氫梯度能隙薄膜發光二極體的光電特性
論文名稱(外文):The Opto-electronic Characteristics of a-SiC:H p-i-n Thin-Film Light-Emitting Diodes (TFLEDs) with a Low Resistance Reflective n-Layer
指導教授:洪志旺
指導教授(外文):Prof. Jyh-Wong Hong
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:英文
中文關鍵詞:非晶碳化矽氫薄膜發光二極體組成摻雜梯度能隙非晶碳鍺化矽氫反射層
外文關鍵詞:a-SiC:H TFLEDComposition-Dopant-Graded Gap a-SiCGe:H Reflective Layer
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:90
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本研究針對 p-i-n 結構之非晶碳化矽氫薄膜發光二極體,除在p及n層分
別採用組成摻雜梯度能隙(composition-dopant-graded gap)結構外,且
於n層處,利用鍺具有較高反射係數及較佳導電係數的特性,加入一非晶
碳鍺化矽氫(a-SiCGe:H)反射層(reflective layer),並以退火製程的最
佳化,改善薄膜發光二極體的光電特性;另本研究中亦比較以鍍有ITO或
TO透明導電膜的玻璃為基板所製作的元件特性。實驗結果顯示,以鍍有
ITO的玻璃為基板的元件,除因組成摻雜梯度能隙可降低外接電極接觸電
阻(contact resistance),載子入射機會增加外,更因為再加入反射層,
而提高背向光的反射量及再降低元件的串接電阻(series resistance),
因此再度提昇元件的發光亮度、降低其操作電壓。然而,以鍍有TO的玻璃
為基板的元件,其效果則不如預期。由於退火製程對非晶薄膜與外接電極
之介面特性有極大的影響,為改善兩者間的接觸電阻,以獲得更好的歐姆
接觸(ohmic contact),本實驗亦探討不同溫度及時間的退火條件對元件
特性的影響,發現在 280 oC、3分鐘的退火條件下,元件具有較佳的發光
亮度及較低的臨界電壓,且元件穩定度的表現也較好。採用最佳化的退火
條件,以鍍有ITO的玻璃為基板的元件在電流密度為 600 mA/cm2時,最高
亮度可達720 cd/m2,且臨界電壓降至9.0 V,頻譜峰值680 nm,發出橘黃
光。而以鍍有TO的玻璃為基板的元件除亮度明顯較差(315 cd/m2)外,其
臨界電壓與頻譜的表現均與在鍍有ITO的玻璃上的元件相似。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
系統版面圖檔 系統版面圖檔