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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:簡怡峻
研究生(外文):Yi-Jiunn Chien
論文名稱:砷化鋁鎵/砷化鎵脈衝摻雜金屬-半導體-金屬光偵測器之特性分析
論文名稱(外文):The Characterization of Delta-doping AlGaAs/GaAs Metal- Semiconductor-metal Photodetectors
指導教授:綦振瀛
指導教授(外文):Prof. Jen-Inn Chyi
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:中文
中文關鍵詞:金屬-半導體-金屬光偵測器脈衝摻雜
外文關鍵詞:MSM-PDDelta-doping
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最近 MSM-PD 一些改進的方法與其優缺點,大部份都利用較複雜的製程技
術來縮小元件,並以低溫成長的材料來降低緩慢載子的壽命,雖然提升了
高頻特性,卻招致響應度的降低。在本論文中,我們則提出另類方法,利
用脈衝摻雜來調變元件內部電場,不必改變製程、不減損響應度,可在低
偏壓下達到良好的高頻特性。藉由實驗量測的方法,配合模擬結果分析了
脈衝摻雜對 MSM-PD 的特性改進;我們發現脈衝摻雜的確有調變元件內部
電場的作用,可縮短電洞行進時間;在實驗的結果上,有脈衝摻雜的元件
其下降時間較無摻雜者減低了30% 以上(偏壓 4V 時,無摻雜者的下降時
間為 89ps,而下層 n-type 脈衝摻雜的元件則為 58ps),而半高寬甚至
在低偏壓 4V 時都保持在 25ps 以下,已經接近量測系統極限;另外脈衝
摻雜的元件在低偏壓下(4V),其主峰高度都可以達到無摻雜元件在高偏
壓 (8V)時的水準。綜合我們的研究結果,脈衝摻雜的 MSM-PD 展現出其
在低偏壓操作,高頻響應上的優異性。

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