本論文的研究主題乃以傳統式金屬-半導體場效應電晶體為基礎,進而針對
掩埋層金屬-半導體場效應電晶體及傳統式兩者,作一特性上的比較.我們
將從元件結構的選定,元件的製作,量測到元件等效模型的建立及放大器電
路的設計與製作等,作一完整的分析討論.我們期許掩埋層金屬-半導體場
效應電晶體擁有較佳的線性特性.此元件特性不僅使掩埋層金屬-半導體場
效應電晶體擁有較大的電流密度及互導值,且重要的是,掩埋層元件可在較
廣的偏壓範圍內,仍保有相當平坦的互導值 ,這使得在放大器電路設計上,
我們可設計出較佳的低雜訊放大器.除了DC特性上的改善之外,我們也可從
RF特性上,見到其線性的改良.另外,經由元件模型的建立及放大器電路的
設計等,經由模擬結果可發現 ,利用掩埋層金屬-半導體場效應電晶體取代
傳統式元件置入放大器電路後,我們預期將可得到較佳的功率線性及較大
的功率層次.