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研究生:羅大宇
研究生(外文):Luo, Ta Yue
論文名稱:氧化鋁-碳化矽納米複合陶瓷的晶粒成長與微結分析
論文名稱(外文):Alumina-silicon carbide ceramic nanocomposites-grain growth and microstructure analysis
指導教授:盧宏陽盧宏陽引用關係
指導教授(外文):Lu, Hong Yang
學位類別:碩士
校院名稱:國立中山大學
系所名稱:材料科學(工程)研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:英文
中文關鍵詞:氧化鋁碳化矽納米複合陶瓷熱壓燒結晶粒成長差排
外文關鍵詞:Aluminasilicon carbideceramic nanocompositeshot-pressingdislocation
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米複合陶瓷以1600℃,30MPa,經1小時的熱壓燒結後,再經過1400℃
,1450℃,1500℃,及1550℃的退火處理,其晶粒成長情形 掃瞄式及穿
透式電子顯微鏡觀察,熱壓燒結後晶粒大小 約為1μm,經過退火處理後
晶粒成長指數為5,最終晶粒大小2.1μm,晶粒成長的過程中氧化鋁晶粒
邊界的移動非常明顯地被碳化矽顆粒阻礙。在微結構的分析顯示經1600
℃/1小時30MPa的熱壓燒結後氧化鋁中的三種滑移系統bb=1/3<1120>
br=1/3<1011>bpp=1/3<1010>皆被啟動;並且在差排結構方面,次晶粒邊界
的形成,差排網,差排結,及差排的糾纏亦被觀察到.然而直接觀察1300
℃/2h退火處理後的TEM試片發現差排的結構並無改變.在觀察純氧化鋁的
微結構時發現, 在相同的熱壓條件下, 差排結構的差異只在於純氧鋁中密
度非常低. 氧化鋁-碳化矽中的三種滑移系統皆啟動,可能是經由熱壓時所
施加的壓力, 或冷卻過程中因膨脹係數差異在晶粒中所引起的伸張應力
場, 然而根據氧化鋁-碳化矽與純氧化鋁中差排密度的極大差異, 可能是
在燒結時所產生的差排,在冷卻過程中差排的移動被碳化矽所阻礙. 另外
差排與第二向顆粒的作用及強化機構亦將被討論。

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