(3.230.76.48) 您好!臺灣時間:2021/04/15 01:11
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:蔡尤勝
研究生(外文):Tsai, You-Sheng
論文名稱:Si(100)面線型缺陷的方向研究
論文名稱(外文):Orientation of the vacancy line defects on Si(100)
指導教授:蔡民雄
指導教授(外文):Tsai, M.-H.
學位類別:碩士
校院名稱:國立中山大學
系所名稱:物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:英文
論文頁數:29
中文關鍵詞:線型缺陷分子動力學雙體原子
外文關鍵詞:Si(100)vacancy line defectsdimermolecular-dynamics
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:96
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
使用分子動力學(MD)的方法,來模擬Si(100)面的表面重組.我們得到
Si(100)面的線型缺陷表面結構.在此我所考慮的線型缺陷的方向有和表面
成列的雙體原子(dimer)的方向互相垂直及互相平行兩種情形,及它們各別
對應的總能量.我們得到的結果顯示,有兩個dimer寬度的線型缺陷方若其
方向和表面成列的dimer的方向互相垂直,這種情況比互相平行的情況穩
定,和實驗所得的結果相符合.從計算的趨勢,知道當線型缺陷的寬度足夠
大的時候,互相平行的情況可能較穩定.會造成這樣的傾向,可以歸因於暴
露的第二層原子有可利用的空間,使其形成長串成列的dimer,且因表面原
子的劇烈重組後其在線型缺陷周圍附近原子的懸空鍵減少而使其能量降
低,因此較穩定.這些結果大致上和由電子穿隧顯微鏡(STM)所得的切面圖
相當吻合.

Using the local-orbital density-functional molecular-dynamics
method, we have obtained relaxed Si(100) surfaces with vacancy
line defects that are perpendicular and parallel to the surface
dimer rows and their corresponding total energies. Our results
show that the perpendicular line defects with two-dimer wide
are most favorable with respect to the parallel line defects in
agreement with scanning tunneling microscopy (STM)
observations. This preference can be attributed mainly to the
formation of troughs around the defect in the perpendicular
case and the limited space that prevents the exposed second-
layer atoms to form long dimer rows in the parallel case.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
系統版面圖檔 系統版面圖檔