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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:張耀文
研究生(外文):Chang,Yao-wen
論文名稱:適用於深次微米超大型積電金氧半元件之速度超越模型
論文名稱(外文):Modeling velocity overshoot for deep-submicron VLSI MOS devices
指導教授:郭正邦郭正邦引用關係
指導教授(外文):James B. Kuo.
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:84
語文別:中文
論文頁數:53
中文關鍵詞:速度超越深次微米元件能量傳輸
外文關鍵詞:velocity overshootdeep-submicron devicesenergy transport
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為了進一步提升金氧半元件的密度及工作效能,金氧半元件的尺寸一直持
續在縮小中。然而為了維持元件仍能正常工作,供給電壓卻不能如元件尺
寸一般地大幅縮小,這時,通道中的大電場效應便無法避免。電場變化劇
烈將使得電子能量無法瞬間達到平衡,而可能發生速度超越現象。本論文
考慮了能量傳輸及速度超越現象,提出了一個適用於0.1微米N型金氧半元
件之封閉式解析模型。此外,在論文中也描述分析了在一0.1微米N型金氧
半元件中,速度超越現象對源極─閘極電容及汲極─閘極電容的影響。經
由二度空間模擬器之模擬結果驗證,這兩個模型對於深次微米元件之特性
,能夠提供相當準確之預測。
This thesis presents a closed-form analytical velocity over-
shoot model for 0.1 micron NMOS devices taking into account
energy transport. In addition, it describes the impact of the
velocity overshoot on the source-gate and drain-gate
capacitance in a 0.1 micron NMOS. Both models are verified by
2D simulation results and give good predictions of the
characteristics of deep submicron devices.
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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