|
近幾十年來，對於材料物理性質的研究，可應用局部密度函數近似(
local density approximation ,LDA) 的方式，對於相關性不強的系統可
提供不錯的基態描述。但LDA對強相關性材料如過渡金屬氧化物(TMO)之描
述，並不能正確計算能隙問題，此與局部化軌域之電子行為描述的正確性
有關。 本論文想藉由LAPW方法對鑭系金屬做一系列能帶理論計算，由
於鑭系金屬的4f電子很局部化，究竟應該視為價電子或核電子一直是理論
上的一個問題故我們在處理局部性的4f軌域電子類似問題上分別將，4f軌
域電子處理為價電子或和電子，以比較出隨著4f電子的增加其價電子提供
屏蔽(screing)行為之變化趨勢以及系統產生的磁矩變化，藉以觀察4f電
子對價電子分佈的影響。 最後，計算它們的部份狀態密度以期能從
XPS的實驗數據告訴我們何者正確，並歸納出在整個鑭系金屬中4f電子局
部化的趨勢強度，由此整理出LDA整個理論架構上對於局部4f軌域電子之
作用力的基本性質研究。
|