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研究生:樓穎仁
研究生(外文):Lou, Ying Jen
論文名稱:利用LAPW之方法對於4f電子系統之鑭系金屬的理論研究
論文名稱(外文):Theoretical Study of 4f Electron System via Lanthanide Metal with First Prinple LAPW Calculation
指導教授:梁贊全
指導教授(外文):T.C.Leung
學位類別:碩士
校院名稱:國立中正大學
系所名稱:物理學系
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1997
畢業學年度:85
語文別:中文
論文頁數:49
中文關鍵詞:第一原理鑭系金屬稀土元素局部化線性擴增平面波強相關性材料
外文關鍵詞:First principleRare earth4f electronLapwLocalizeBand structure
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近幾十年來,對於材料物理性質的研究,可應用局部密度函數近似(
local density approximation ,LDA) 的方式,對於相關性不強的系統可
提供不錯的基態描述。但LDA對強相關性材料如過渡金屬氧化物(TMO)之描
述,並不能正確計算能隙問題,此與局部化軌域之電子行為描述的正確性
有關。 本論文想藉由LAPW方法對鑭系金屬做一系列能帶理論計算,由
於鑭系金屬的4f電子很局部化,究竟應該視為價電子或核電子一直是理論
上的一個問題故我們在處理局部性的4f軌域電子類似問題上分別將,4f軌
域電子處理為價電子或和電子,以比較出隨著4f電子的增加其價電子提供
屏蔽(screing)行為之變化趨勢以及系統產生的磁矩變化,藉以觀察4f電
子對價電子分佈的影響。 最後,計算它們的部份狀態密度以期能從
XPS的實驗數據告訴我們何者正確,並歸納出在整個鑭系金屬中4f電子局
部化的趨勢強度,由此整理出LDA整個理論架構上對於局部4f軌域電子之
作用力的基本性質研究。

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