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研究生:

謝茂江

研究生(外文):

Hsieh, Mou-Kiang

論文名稱:

多層平面摻雜場效電晶體的製作與分析

論文名稱(外文):

The fabrication and analysis of multiple delta doped field effect transistor

指導教授:

李清庭

指導教授(外文):

Lee Ching-Ting

學位類別:

碩士

校院名稱:

國立中央大學

系所名稱:

光電(科學)研究所

學門:

工程學門

學類:

電資工程學類

論文種類:

學術論文

論文出版年:

1997

畢業學年度:

語文別:

中文

論文頁數:

中文關鍵詞:

金屬半導體場效電晶體、高電子移動率電晶體、平面摻雜、互導、分子束磊晶、傳輸線模型

外文關鍵詞:

MESFET、HEMT、delta-doped、transconductance、MBE、TLM

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此多層平面摻雜場效電晶體具有較高的電流密度(183mA/mm),及較廣的互
導值閘極電壓線性操作範圍,如此的元件也有高可靠度及穩定性.

A high performance multiple delta-doped GaAs/InGaAs/GaAs
pseudomorphic fieldeffect transistor grown by MBE is reported. A
saturation current density as high as 183 mA/mm along with broad
transconductance plateau at 300K with a 5 um gate length are
achieved.

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