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本文是利用光致螢光光譜(PL)的方法來探測氧化層/ 砷化鎵介面的表面複合速度。
我們主要是用兩種方法:
(1) 用室溫下的PL光譜分別探測五種不同的樣品，包括bare GaAs,Al2O3/GaAs,Ga2
O3/GaAs,Al0.45,Ga0.55As/GaAs，以及Ta2O5/GaAs。在PL光譜的分析上，我們著重
於個別PL光譜的強度比較，藉由modihed dcad layer模型的解釋，我們可以估算表
面複合速度。而最主要研究的對象是Ga,O3/GaAs，在估算中，它有相當低的表面複
合速度; 也就是說，它有比較低的表面缺陷密度。
(2) 藉由改變入射雷射光的強度，我們可以得到相對應的PL強度曲線，並由此曲線
推導出入射光功率密度對應PL量子效率曲線。分析這些不同樣品所對應的曲線，我
們可以得到非輻射複合與輻射複合的生命期比值，進而估算GazO3/GaAs的表面複合
速度。
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