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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:詹卓勳
研究生(外文):Chan, Jwo-Hsun
論文名稱:多孔矽上之低溫磊晶研究
論文名稱(外文):Study of low-temperature PECVD of silicon on porous silicon substrates
指導教授:徐永珍徐永珍引用關係
指導教授(外文):Klaus Y. J. Hsu
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:電機工程學系
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1997
畢業學年度:85
語文別:中文
論文頁數:53
中文關鍵詞:多孔矽氫氟酸
外文關鍵詞:Porous SiliconHF
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SOI結構的元件具有低漏電流,較好的特性以及不易受輻射影響,所
以SOI的基板,在下一代ULSI製程中佔有相當重要的地位。但是它最大的
缺點在於SOI的基板價格過高,因此許多的研究單位不斷的在尋找成本低
,而且又能製備SOI基板的方法,多孔矽就是其中材料的一種。多孔矽不
但具有單晶的結構,而且又容易氧化形成絕緣層,如果能把多孔矽當成介
面,就可以在二氧化矽上成長出單晶了,而形成SOI的結構。
對於多孔矽的微觀結構,我們已能藉由氫氟酸的濃度、晶片的摻雜濃度以
及電流的大小,適當的配合而加以控制,同時也能順利的經由改變摻質濃
度而獲得我們所想要的多層多孔矽形態,其表層的多孔矽顆粒大、底層的
多孔矽顆粒較小,使得容易控制底部氧化層的成長。 多孔矽上的低溫
磊晶方面,我們以300℃的PECVD能在P- type多孔矽 和P+ type多孔矽上
,成長出和在矽晶片上相同的多晶質,同時也由高解析TEM發現磊晶層的
晶格大小會因退火溫度的增高而改善。

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