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本論文利用銻為溶劑,以液相磊晶技術成長銻化鎵/銻化鎵,銻化鋁鎵/
銻化鋁鎵,銻化鋁鎵/銻化鎵結構磊晶層於(100)晶向的n+銻化鎵基板上,進
而製作二極體. 關於磊晶層的特性分別以Nomarski相位對比照相,光激
發光譜.電子探針微組成分析.水銀探針電容-電壓量測等加以分析. 未摻
雜的銻化鎵磊晶層.其背景電洞濃度為9.5E15cm-3;而未摻雜的銻化鋁鎵磊
晶層,其背景電洞濃度為1.5E16cm-3. 由文獻描述以液相磊晶成長,鎵
為溶劑的未摻雜銻化鎵磊晶層的載子濃度高低與烘培時間.成長溫度有關.
背景濃度的高低問題是由於本體晶格缺陷(Sb 空位)與錯位(Ga原子佔據Sb
位置).以鎵為溶劑可藉由長時間烘培與低溫成長來降低背景載子濃度.以
銻為溶劑因為有較多的銻原子填滿Sb空位以及減少反位鎵的生成,因此可
獲得較低的背景載子濃度. 由光激發光譜的量測,我們可以發現到銻化
鎵與銻化鋁鎵磊晶層未摻雜與碲或鋅摻雜的不同尖峰位置及其變化,並且
可與以鎵為溶劑的光激發光譜作比較.由本論文中,我們可以發現到以銻為
溶劑成長的磊晶層要比以鎵為溶劑的背景濃度為低且有較佳的磊晶品質.
我們已製作出銻化鎵與銻化鋁鎵磊晶層,並進而製作出二元.三元以及異質
結構二極體.量測其電流-電壓關係,以得知切入電壓.理想因子等特性.未
來將解決表面處理以及退火溫度等影響元件特性的有關製程方面問題,以
期製作發光二極體.
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