本研究利用雙電子鎗蒸鍍系統製備LaB6及YXB100－X等合金薄膜於n-GaAs晶片上，共
有五組試片，經過500℃~900℃、20秒之快速熱退火處理後，探討蕭基接面之微結構及電
性變化。以X光繞射分析、歐傑電子能譜成份縱深分佈曲線分析、掃描式電子顯微鏡等，
分析界面微結構及表面形態；量測薄膜片電阻；並製作蕭基二極體以探討其電性。結構分
析顯示鑭硼合金及釔硼合金薄膜與砷化鎵接面的高溫穩定性良好，界面處不易產生交互擴
散，表面雖有氧化現象但仍維持平整的表面型態。電流-電壓特性曲線分析也顯示，除含
硼量最多的YB1/GaAs合金薄膜經700℃以上高溫退火後，蕭基電性會劣化外，LaB6/GaAs、
YB2/GaAs、YB3/GaAs和YB4/GaAs蕭基電性的熱穩定性良好，蕭基能障高也可維持在
0.7V~0.8V之間。
|