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第一章 簡介
1.1 前提
1.2 PCE材料系統
1.3 Ge-Sb-Te系統
1.3.1 薄膜製備與碟片結構
1.3.2 材料特性分析（熱、光性質，生成相，…）
1.3.3 寫擦性能表現(CNR,erasability, ...)
1.3.4 Ge-Te-Sb2Te3-<Sb>
1.3.5 循環損壞、平坦度分析
1.4 研究目的
第二章 實驗步驟
2.1 第一階段－材料分析
2.1.1 薄膜的製作
2.1.1.1 材料的準備
2.1.1.2 基板的清洗
2.1.2.2.1 清洗燒杯
2.1.2.2.2 清洗基板
2.1.2 鍍膜
2.1.2.1 PECVD鍍非晶碳膜
2.1.2.2 PVD濺鍍Ge-Sb-Te薄膜
2.1.3 薄膜性質分析
2.1.3.1 濃度分析
2.1.3.2 生成相分析
2.1.3.3 光性質量測
2.2 第二階段
2.2.1 光反射率模擬
2.2.2 製作碟片
2.2.3 多層膜溫度分佈模擬
2.2.4 靜態讀寫擦測試
2.3 使用儀器簡介
2.3.1 Alpha-Step測厚儀
2.3.2 X射線繞射分析儀(XRD:X-ray Diffraction Analyzer)
2.3.3 穿透式電子顯微鏡觀察(TEM: Transmission Electron Microscope)
2.3.4 微差掃描式卡路里計
2.3.5 掃描式電子顯微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)
2.3.6 Automic Force Microscope(AFM)
第三章 結果與討論
3.1 濃度分析
3.2 材料特性分析
3.2.1 DSC結果
3.2.2 X-ray結果分析
3.2.3 TEM結果分析
3.2.4 光性質量測
3.3 電腦模擬
3.3.1 光反射率多層膜模擬
3.3.2 碟片鍍膜之各層膜厚度結果
3.3.3 熱傳模擬
3.4 讀寫擦結果
第四章 結論
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