(3.238.250.105) 您好!臺灣時間:2021/04/20 04:52
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:張添財
論文名稱:含鋯或鉿之鎳鋁介金屬化合物粒界性質研究
指導教授:莊東漢莊東漢引用關係
學位類別:博士
校院名稱:國立臺灣大學
系所名稱:材料科學(工程)研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1996
畢業學年度:85
語文別:中文
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:99
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
封面
中文摘要
英文摘要
目錄
圖目錄
表目錄
英漢名詞對照
符號意義
第一章 前言
第二章 理論基礎
2-1 CVD之熱力學分析
2-2 動力學分析
2-3 CVD晶體的成核與成長
2-4 CVD晶體的成長形態
2-5 碳化矽的晶體結構
第三章 實驗方法與步驟
3-1 實驗流程
3-2 實驗系統設計
3-3 原料選擇
3-4 晶體成長條件與成長步驟
3-5 晶體性質之測定
第四章 CVD β-SiC之研究
4-1 引言
4-2 CH濃度效應對β-SiC晶體成長之研究
4-3 沉積溫度對β-SiC晶體成長之研究
4-4 鍍層優先成長方向之研究
4-5 SiC顥微結構之觀察
4-6 結論
第五章 CVD SiC/TiC複合鍍層之研究
5-1 引言
5-2 CVD製程參數對晶體成長之研究
5-3 TiCl/SiCl比例對SiC/TiC複合複合鍍層成長之研究
5-4 SiC/TiC複合鍍層成長機構之研究
5-5 複合鍍層韌化機構與機性質分析
5-6 結論
第六章 CVD SiC/TiSiC複合鍍層之研究
6-1 引言
6-2 Ti-Si-C之成長相圖
6-3 SiC/TiSiC之顯微結構
6-4 鍍層機械性質
6-5 結論
第七章 總結論
參考文獻
附錄一:The β-SiC database of JCPDS card
附錄二:The TiC database of JCPDS card
附錄三:The TiSiCdatabase of JCPDS card
致謝
自述
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
系統版面圖檔 系統版面圖檔