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目錄
圖目錄
表目錄
英漢名詞對照
符號意義
第一章 前言
第二章 理論基礎
2-1 CVD之熱力學分析
2-2 動力學分析
2-3 CVD晶體的成核與成長
2-4 CVD晶體的成長形態
2-5 碳化矽的晶體結構
第三章 實驗方法與步驟
3-1 實驗流程
3-2 實驗系統設計
3-3 原料選擇
3-4 晶體成長條件與成長步驟
3-5 晶體性質之測定
第四章 CVD β-SiC之研究
4-1 引言
4-2 CH濃度效應對β-SiC晶體成長之研究
4-3 沉積溫度對β-SiC晶體成長之研究
4-4 鍍層優先成長方向之研究
4-5 SiC顥微結構之觀察
4-6 結論
第五章 CVD SiC/TiC複合鍍層之研究
5-1 引言
5-2 CVD製程參數對晶體成長之研究
5-3 TiCl/SiCl比例對SiC/TiC複合複合鍍層成長之研究
5-4 SiC/TiC複合鍍層成長機構之研究
5-5 複合鍍層韌化機構與機性質分析
5-6 結論
第六章 CVD SiC/TiSiC複合鍍層之研究
6-1 引言
6-2 Ti-Si-C之成長相圖
6-3 SiC/TiSiC之顯微結構
6-4 鍍層機械性質
6-5 結論
第七章 總結論
參考文獻
附錄一：The β-SiC database of JCPDS card
附錄二：The TiC database of JCPDS card
附錄三：The TiSiCdatabase of JCPDS card
致謝
自述