跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(3.236.225.157) 您好!臺灣時間:2022/08/14 21:34
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:李國晏
研究生(外文):Lee, Gwo Yann
論文名稱:表面回應方法在功率雙擴散金氧半導體元件最佳化之設計
論文名稱(外文):Optimum Design of Power DMOS Devices Using Response Surface Methods
指導教授:王啟林
指導教授(外文):Chi-Lin Wang
學位類別:碩士
校院名稱:逢甲大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
中文關鍵詞:高功率場效電晶體導通電阻崩潰電壓表面回應方法實驗設計
外文關鍵詞:high powerMOSFETDMOSon resistancebreakdown voltageRSM
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:135
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本文的目的在選擇DMOS 元件的設計空間去決定設計參數之值以達到最佳
化之導通電阻 Ron和崩潰電壓VBR。我們提出一套使用表面回應及最佳化
方法分析DMOS 元件特性的模擬環境。

近年來隨著高功率元件需求日益增加。而原本被用作高功率元件的雙載子
功率元件已逐漸被其它元件替代, 其中 DMOSFET 便是被廣泛運用的其中
之一。崩潰電壓-Vbr 導通電阻-Ron 是 DMOS兩個重要的元件參數,其影
響到元件的消耗功率及能容忍的最大電壓。但這兩個參數相互之間有一定
的影響程度, 所以對崩潰電壓及導通電阻的要求不能兩全其美。本文將
對DMOS元件的設計參數和導通電阻及崩潰電壓相互間之關係作一討論及提
出最佳化的方式。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
無相關期刊