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本論文主要探討稀土族元素La薄膜和氫氣完全反應之後的電阻率和光
學穿透率, 首先是探討薄膜樣品的製程, 接著用四點法測量電阻, 在分別
用單光儀測量系統和傅立業紅外光儀來測量樣品的光學穿透率. 實驗
的結果顯示: 稀土族元素La原本是金屬, 但在與氫氣反應完後, 會變成半
導體. 過程中, La的晶格結構改變, 從原本的f.c.c結構變成h.c.p結構,
在此同時, 電阻率增加 100 倍以上, 而其光學穿透性質, 從原本的完全
反射幾乎變成完全穿透. 我們可以從穿透率光譜中, 看出La氫化物的
能隙(Energy Gap)= 2.58eV, 因此可證明La 在氫化的過程中, 的確經歷
了 "導體--半導體" 的轉換. 另外, 藉由穿透光譜, 還可以得到氫氣原子
在La晶格中的震盪能量.
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