本實驗首先分別探討氯化鎵及氧化砷在６０．０／４０．０　ｍｏｌ％　
ＡｌＣｌ３－ＭｅＥｔｉｍＣｌ室溫融鹽的電化學行為，所選用的工作電
極為鎢，得知三價鎵在此融鹽中還原是先獲得兩個電子，再獲得一個電子
還原到元素態鎵，此兩步驟的電化學反應皆為半可逆反應；而三價砷的還
原則一次獲得三個電子，還原至元素態砷，此步驟的電化學反應則為不可
逆反應．在析鍍砷，鎵方面，由於砷的還原電位在鎵之前，因此融鹽中氧
化砷的濃度要比氯化鎵低，經由能譜儀對鍍層分析，得知最符合砷／鎵＝
１／１的溶液組成為：氯化鎵濃度０．０２Ｍ，氧化砷濃度為其１／３（
即０．０２ｘ１／３），此時析鍍的電位為－０．０１Ｖ．將析鍍所得之
樣品以Ｘ光繞射分析儀進行分析，發現並無砷化鎵晶型的訊號，經過２５
０度Ｃ，鍛燒三小時後，再以Ｘ光繞射分析儀進行分析，則可得砷化鎵晶
型的訊號．
Ｔｈｅ　ｆｉｒｓｔ　ｐａｒｔ　ｏｆ　ｔｈｉｓ　ｔｈｅｓｉｓ　ｄｉ
ｓｃｕｓｓｅｄｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｂｅｈａ
ｖｉｏｒ　ｏｆｇａｌｌｉｕｍ（ＩＩＩ）　ｏｘｉｄｅ　ｉｎ　ｔｈｅ
　ｒｏｏｍ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｍｏｌｔｅｎ　ｓａｌｔ．　Ｔ
ｕｎｓｔｅｎ　ｗａｓｓｅｌｅｃｔｅｄ　ａｓ　ｔｈｅ　ｗｏｒｋｉｎ
ｇ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｂｅｃａｕｓｅ　ｏｆ　ｉｔｓ　ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｂｅｈａｖｉｏｒｉｓ　ｍｏｒｅ　ｏｂｖｉｏ
ｕｓ　ｔｈａｎ　ｃａｒｂｏｎ，ｎｉｃｋｅｌ，ａｎｄｃｏｐｐｅｒ　
ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ　ｆｒｏｍ　ｃｙｃｌｉｃ　ｖｏｌｔａｍｍｅｔ
ｒｙ　ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ．Ｉｎ　ｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ　ｓｅｃｔｉｏｎ，　ｓｉｎｃｅｔｈｅ　ｒｅｄｕｃｔ
ｉｏｎ　ｏｖｅｒ　ｐｏｔｅｎｔｉａｌ　ｏｆ　ａｒｓｅｎｉｃｏｘｉ
ｄｅ　ｉｓ　ｌｅｓｓ　ｔｈａｎ　ｇａｌｌｉｕｍ，　ｔｈｅ　ｃｏｎ
ｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ａｒｓｅｎｉｃ　ｏｘｉｄｅ　ｉｓ　ｌ
ｏｗｅｒｔｈａｎ　ｇａｌｌｉｕｍ　ｃｈｌｏｒｉｄｅ　ａｔ　ｍｏｌ
ｔｅｎ　ｓａｌｔｓ．Ｉｎ　ｔｈｅ　ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　ｄｅ
ｓｉｇｎ，　ｔｈｅ　ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｇａｌｌｉ
ｕｍ　ｃｈｌｏｒｉｄｅ　ｗａｓｖａｒｉｅｄ　ｆｒｏｍ　１０ｍＭ　
ｔｏ　５０ｍＭ，　ｗｈｉｃｈ　ａｒｓｅｎｉｄｅｏｘｉｄｅ　ｗａｓ
　ｃｈａｎｇｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｒａｎｇｅ　ｏｆ　１／２　ｔｏ１
／５　ｏｆ　ｇａｌｌｉｕｍ　ｃｈｌｏｒｉｄｅ　ｃｏｎｃｅｎｔｒａ
ｔｉｏｎＦｒｏｍ　ｔｈｉｓ　ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ，　ｔｈｅ　ｍｅ
ｌｔ　ｃｏｎｔａｉｎｅｄ２０ｍＭ　ＧａＣｌ３　ａｎｄ　６．６ｍＭ
（２０／３ｍＭ）Ａｓ２Ｏ３　ｉｓ　ｔｈｅ　ｂｅｔｔｅｒ　ｃｏｍｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ．　Ｔｈｅ　ｂｅｓｔ　ｓａｍｐｌｅ　ｗａｓｃｈａｒ
ａｃｔｅｒｉｚｅｄ　ｂｙ　Ｘ－ｒａｙ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（Ｘ
ＲＤ）．Ａｃｃｏｒｄｉｎｇ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｏｆ　
ｔｈｅ　Ｘ－ｒａｙｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ，　３－ｈｏｕｒ　ａｎｎ
ｅａｌｉｎｇ　ｉｓｒｅｑｕｉｒｅｄ　ｔｏ　ｇｅｔ　ｃｒｙｓｔａｌ
ｌｉｎｅ　ＧａＡｓ．