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研究生:韓余麟
研究生(外文):Han, Yu-Lin
論文名稱:脈衝KrF雷射退火及真空退火對Co/Si0.76Ge0.24/Si(100)系統之界面反應研究
論文名稱(外文):Study of Interfacial Reactions of Co/Si0.76Ge0.24/Si(100) by Pulsed KrF laser and Vacuum Annealing
指導教授:林文台
指導教授(外文):Lin Wen-Tai
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:材料科學(工程)學系
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
論文頁數:46
中文關鍵詞:雷射退火金屬矽鍺化物偏析
外文關鍵詞:laserannealinggermanosilicideSiGe
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本論文係利用脈衝KrF雷射退火及真空退火研究Co/Si0.76Ge0.24
及Co(Si0.76Ge0.24)之界面反應,在實驗過程中以能量密度、脈衝數及溫
度為控制參數。對於350℃真空退火之Co/Si0.76Ge0.24試片,Ge偏析至下
方Si0.76Ge0.24層中;當溫度達到550℃時形成Ge-dificient之金屬矽鍺
化物的島嶼狀結構,其晶粒由Ge-rich之Si1-xGex膜所包圍。對於0.2
至0.6 J/cm2雷射退火之Co/Si0.76Ge0.24試片,金屬矽鍺化物層顯示三層
結構:沿剖面深度往下分別是毫微晶粒層或非晶質結構、Co(Si1-xGex)層
與Co(Si1-xGex)2層。在0.3 J/cm2雷射退火時,Ge偏析至下方殘餘的
Si0.76Ge0.24層中;而在0.8J/cm2時,大部份的反應層轉換為單層結構的
Co(Si1-xGex)2且Ge擴散至Si基板;而在1.0 J/cm2時,產生組成過冷現象
。對0.2 J/cm2雷射退火進行20次多脈衝射之試片,產生平滑界面與形成
幾乎為純Co(Si1-xGex)2之金屬矽鍺化物層,同時Ge並沒有由金屬矽鍺化
物層中偏析出來及產生應變鬆弛現象。Co(Si1-xGex)/Si1-xGex試片
經0.4-0.8 J/cm2雷射退火後,其沿剖面深度往下有兩層結構分別為Co(
Si1-xGex)和Co(Si1-xGex)2。在1.0 J/cm2時,轉變成幾乎為純Co(Si1-
xGex)2之單層結構且此時Ge偏析至Si基板;而組成過冷現象發生在1.6 J/
cm2。總括來說,在Co(Si1-xGex)系統中,Ge擴散至Si基板及出現組成過
冷現象所需之雷射能量密度皆高於Co系統。

Interfacial reactions of Co/Si0.76Ge0.24 and Co(Si0.76
Ge0.24)/Si0.76Ge0.24 by vacuum annealing and pulsed KrF laser
annealing as afunction o energy density and pulsed number were
studied. For the Co/Si0.76Ge0.24 samples annealing at 350℃
segregated to the underlyingSi0.76Ge0.24 film. Above 550℃ the
island structure of Ge-dificient germanosilicide grains
suuounded by the Ge-rich Si1-xGex at an energydensity of 0.2-0.6
J/cm2 appear three germanosilicide layers, i.e.,nanocrystal and/
or amorphous structure, Co(Si1-xGex), and Co(Si1-xGex)2,wrer
formed along the depth direction. At 0.3 J/cm2 Ge reacted region
was transformed to a single layer of Co(Si1-xGex)2, while Ge
diffused to the Si substrate. At 1.0 J/cm2 constitutional
supercooling appeared. Annealingat 0.2 J/cm2 for 20 pulsed could
produce a smooth and nearly pure Co(0.76Ge0.24)2 film without
inducing Ge segregation out of the germano-silicide hence strain
relaxation. For the Co(Si0.76Ge0.24)/Si0.76Ge0.24sample annealed
at an energy density of 0.4-0.6 J/cm2 two layers, i.e., Co(Si1-
xGex0 and Co(Si1-xGex)2 were formed alepth direction. At1.0 J/
cm2 a single layer of nearly pure Co(Si0.76Ge0.24)2 was formed
concurrently with Ge segregation to the Si substrate.
Constititional super-cooling occured at 1.6 J/cm2. The energy
densities at which either Ge diffusion to the underlying Si
substrate or constitutional supecooling occured were higher for
Co(Si0.76Ge0.24) than Co.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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