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具有50A的空間層和於基-射極異質接面加一單原子摻雜層之磷化銦鎵/砷 化鎵單異質接面雙極性電晶體已被成功製造並加以探討.從理論的分析與 實驗的結果可以發現,由於50A的背置空間層和單原子摻雜層,確實可有效 地消除N-磷化銦鎵/砷化鎵異質接面間的位障尖峰.而共射極之電流增益可 達280且集-射極補償電壓也可小至55mV.此外,在低集極電流如0.5uA,且沒 有在基-射極加以保護層及射極薄化的技巧之下,仍可獲得高電流增益與低 補償電壓,這也證明位障尖峰確實由於單原子摻雜層的使用而被消除.總而 言之,我們使用了一種新的方法來去除位障尖峰.而在此同時,亦可維持在 低集極電流區的高電流增益.藉著使用一單原子摻雜層於基-射極異質接 面,電子的障位,即位障尖峰已被降低,傳導穿越異質接面的熱場穿透電子 數目也減少,因此,電洞的侷限效應與射極注入效率也因此增進許多.再者, 射-基接面的導通電壓及集極電流的理想因子均可被降低,這些都可促成低 集-射極補償電壓及高電流增益的優良特性.
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