|
在本文中,係以低壓有機金屬化學氣相沉積方法, 成功地成長及研製
具有場效電晶體模式及負微分電阻模式之砷銻化銦鋁/砷化銦鎵/磷化銦之
多功能場效電晶體。當源極端為淺歐姆式接觸時,則元件可操作於負微分
電阻模式,且其電流的峰谷比值在300K及77K時分別可達5.8及5.4。另一方
面,若源極端為深歐姆式接觸時,則元件可操作於場效電晶體模式。 由
於採用有高能帶間隙與高蕭基位障(>0.73 eV)之AlInAsSb作為閘極材料,
且AlInAsSb與InGaAs的導帶不連續差達0.7eV左右,可以提供良好的載子侷
限效果。所製成之場效電晶體,其兩端之崩潰電壓可達40V以上,其三端的
on-state崩潰電壓可達18V,三端的threshold-state崩潰電壓可達40V?而
元件之最大外質轉導在300K時可達216mS/mm。此元件之高崩潰電壓的特性
明顯地優於以InP為基板的傳統元件。
|