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研究生:溫樑豐
研究生(外文):Wen, Liang-Feng
論文名稱:探討與模擬磷化鋁鎵銦/磷化鎵銦可見光雷射二極體多重量子位障結構之電子侷限能力
論文名稱(外文):Investigation and Simulation the Electron Confinement of AlGaInP/GaInP Visible Laser Diode with Multiple Quantum Barrier( MQB) Structure
指導教授:蘇炎坤, 張守進
指導教授(外文):Yan-Kuin Su, Shoou-Jinn Chang
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程學系
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
論文頁數:93
中文關鍵詞:磷化鋁鎵銦磷化鎵銦雷射二極體多重量子位障結構
外文關鍵詞:AlGaInPGaInPLaser DiodeMultiple Quantum Barrier
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篇論文中,探討以磷化鋁鎵銦材料為基礎的多重量子位障結構藉由改變一
些參數像是量子井以及量子位障之厚度、第一量子位障厚度、週期數、材
料之組成比,等等。在多重量子位障結構中比較不同的有效質量模型估計
亦被探討。我們藉由明瞭這一些多重量子位障之組成參數將多重量子位障
結構與以最佳化。這增強的電子位障高度在多重量子位障超晶格結構中是
利用轉移矩陣法所模擬出來的。這有效的位障高度分別在一致性的多重量
子位障結構中比傳統的位障高度U0增強為1.68倍,這個數值比起之前的研
究者用舊的有效質量模型預測來的小、在變動式結構中有效的位障度增強
為1.276倍、在多重堆疊結構中有效的位障高度增強為2.2倍。載子的侷限
能力強烈的依賴在異質接面處的位障高度而此主要決定於主動層以及侷限
層兩者間之能帶差。 隨著在侷限層的增強位障,具有多重量子位障結構
之雷射預期會對於溫度較不敏感並且它們能增強光特性。因此,這給予磷
化鋁鎵銦雷射在波長630nm範圍高溫連續波操作之可能性。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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