本篇論文之主要目的是要研究砷化鎵/砷化銦鎵/砷化鋁鎵假形高速場效
應電晶體(PHEMT)。由於傳統型砷化鎵金屬半導體場效應電晶體(MESFET)
存在離子雜質散射效應，導致電子移動率顯著降低並且限制元件的特性。
為了解決上述問題，一些有新穎結構的電晶體已經被研發出來，其中以砷
化鎵/砷化銦鎵/砷化鋁鎵假形高速場效應電晶體最有前景。在本論文裡，
我們嘗試著研讀該元件之基本理論與操作原理，然後利用分子束磊晶(
MBE)成長磊晶層，它們可能摻雜或者不摻雜，視元件的需求而決定。再者
，我們採用一些製程技術，如退火形成良好的歐姆接面與閘極凹陷以提高
崩潰電壓技術以成功的做出元件。最後半導體參數分析儀與網路分析儀被
使用來量測直流與射頻特性。
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