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研究生:胡玉豐
研究生(外文):Hwu, Yuh-Feng
論文名稱:砷化鎵/砷化銦鎵/砷化鋁鎵假形高速場效應電晶體之研究
論文名稱(外文):Study of GaAs/InGaAs/AlGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor
指導教授:王永和, 洪茂峰
指導教授(外文):Yeong-Her Wang, Mau-Phon Houng
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程學系
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
論文頁數:58
中文關鍵詞:砷化鎵砷化銦鎵砷化鋁鎵假形高速場效應電晶體
外文關鍵詞:GaAsInGaAsAlGaAspseudomorphicHEMT
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本篇論文之主要目的是要研究砷化鎵/砷化銦鎵/砷化鋁鎵假形高速場效
應電晶體(PHEMT)。由於傳統型砷化鎵金屬半導體場效應電晶體(MESFET)
存在離子雜質散射效應,導致電子移動率顯著降低並且限制元件的特性。
為了解決上述問題,一些有新穎結構的電晶體已經被研發出來,其中以砷
化鎵/砷化銦鎵/砷化鋁鎵假形高速場效應電晶體最有前景。在本論文裡,
我們嘗試著研讀該元件之基本理論與操作原理,然後利用分子束磊晶(
MBE)成長磊晶層,它們可能摻雜或者不摻雜,視元件的需求而決定。再者
,我們採用一些製程技術,如退火形成良好的歐姆接面與閘極凹陷以提高
崩潰電壓技術以成功的做出元件。最後半導體參數分析儀與網路分析儀被
使用來量測直流與射頻特性。

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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