多孔矽(Porous Si)係以單晶矽為基材，經電化學蝕刻後所產生非常
細小之多孔狀結構。在蝕刻過程中若適當的週期性改變蝕刻參數，如電流
大小、照光等，將可形成多層高/低孔隙率多孔矽結構。根據多孔矽有效
能隙寬度隨孔隙率增加而增大，利用此種結構，將可獲得以矽為材質之異
質結構。經由實驗測量其電特性、光激發光現象與介電常數等迥異於傳統
之多孔矽或單晶矽之特性。 以此結構製備Au/PS/n-Si/Al元件時，可
發現其電流電壓特性在室溫下具有強烈負微分電阻現象，且PVCR值可大
於2。對此現象，本論文中將藉由能帶結構改變對其I-V特性之影響加以討
論。 此外，由於串聯電阻之影響，此負微分電阻具有高起始電壓，因
此我們將討論串聯電阻對其負微分電阻元件之影響。為降低金屬/多孔矽
之接面電阻，我們將利用多孔矽之電化學蝕刻為非等向性之特點，在製備
多孔矽過程中形成一孔隙率較低之多孔矽層，以作為與金屬之接面層，實
驗結果顯示串聯電阻將明顯降低。