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研究生:許振賢
研究生(外文):Sheu, Jenn-Shyan
論文名稱:砷化銦紅外線偵測器之披覆層研究
論文名稱(外文):The Study of Passivation on InAs Infrared Detector
指導教授:蘇炎坤蘇炎坤引用關係
指導教授(外文):Yan-Kuin Su
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程學系
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
論文頁數:2
中文關鍵詞:砷化銦紅外線偵測器披覆層
外文關鍵詞:InAsInfraredDetectorPassivation
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中文摘要 本論文為研究披覆各種披覆材料的砷化銦偵測器之光電特性
。從電流-電壓量測中,我們發現在砷化銦上成長ZnS/native-oxide層或
作硫化物處理可以有效地減少漏電流。藉由比較訊號雜訊比與D*值,可知
砷化銦偵測器在77K表現最佳。此外,量測結果亦顯示作ZnS/native-
oxide層披覆的砷化銦偵測器具有最佳的訊號雜訊比與D*值。其最大的訊
號雜訊比與D*值分別為426.86與1.67*1010 cmHz1/2/W。綜合砷化銦偵測
器的光電特性之量測結果,可知對砷化銦偵測器而言兩層式堆疊的ZnS/
native-oxide架構是一種極佳與極合適的披覆層。

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