本論文討論下閘極複晶矽薄膜電晶體，其通道尺寸等於或小? 晶粒大小
時的元件特性。當通道寬度等於或小於晶粒大小時，在未氫的下閘極複晶
矽薄膜電晶體中，臨限電壓由於晶界缺陷的大幅減少而遽下降，但對於晶
粒內淺態缺陷較敏感的最小汲極電流則幾乎沒有改。氫化後，由於通道內
大部分的缺陷已被填補，通道層邊緣因蝕刻所生的缺陷其作用將顯現出來
。相對於短通道純晶格電晶體，複晶矽薄膜電晶體之floating-body
effect受晶粒尺寸、汲極電壓以及氫化與否影響。經過氫化後■⑽鼓螟■
允q晶體的次臨界擺動將因氫原子阻礙impact ionization戎u和汲極電壓
有關?除此之外，將探討複晶矽薄膜電晶體在電應力下的反應。我們可以
發現當加大電應力的汲極偏壓和加長電應力的時間均會使次臨界擺動改善
的現象消失。而且由特性曲線的偏移可得知電子陷於閘極氧化層?最後，
對通道氧化在窄通道下閘極複晶矽薄膜電晶體的特性影響做一分析。實驗
證明氧化入侵不但填補poly-Si/SiO2界面缺陷而且具有抑制窄通道效應的
能力。由於poly-Si/SiO2界面缺陷減少，使氧化後的複晶矽薄膜電晶體在
電應力下次臨界擺動改善狀況較未氧化時為佳。在此，我們提出以氧化和
氫化結合的新製程使產量及可靠度方面都獲得提升。
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