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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:林柏宏
研究生(外文):Lin, Po-Hung
論文名稱:長週期超晶格共振穿透式雙極性電晶體之研製
論文名稱(外文):Investigation of Long-Period-Superlattice Resonant-Tunneling Transistor (LPSRTT)
指導教授:劉文超劉文超引用關係
指導教授(外文):Wen-Chau Liu
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程學系
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
論文頁數:1
中文關鍵詞:長週期超晶格共振穿透迷你能帶轉移矩陣法穿透係數負微分電阻
外文關鍵詞:Long-Period SuperlatticeResonant TunnelingMinibandTransfer Matrix MethodTransmission CoefficientNegative Differential Resistance
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在本論文中研製了一種以砷化銦鋁/砷化銦鎵為材料的長週期超晶格共振
穿透式雙極性電晶體(LPSRTT),並且以理論去模擬實際元件的特性。我們
使用轉移矩陣法(transfer matrix method)計算在熱平衡時多重位障超晶
格結構中迷你能帶(miniband)的分佈。此外,我們亦計算當外加電場作用
在超晶格結構時的穿透係數,並且分析其電流-電壓特性。在理論分析後
,我們以此為準則去設計LPSRTT的結構並且已經成功。由實驗結果,在室
溫環境中元件具有良好之電晶體特性,如非常低的補償電壓,其約為61mV
,與共射極電流增益約為25。在77K低溫環境中,我們觀察到此元件在兩
端及三端操作時出現N-型負微分電阻現象。此外,經由直接量測法得知,
位於本元件有效射-基接面的位障尖峰(potential spike)幾乎可以忽略。
由以上優點,本元件非常適合應用於高速及低功率消耗數位電路。

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