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研究生:許振賢
研究生(外文):Xu, Zhen-Xian
論文名稱:砷化銦紅外線偵測器之披覆層研究
論文名稱(外文):The Study of Passivation on InAs Infrared Detector
指導教授:蘇炎坤蘇炎坤引用關係
指導教授(外文):Su, Yan-Kun
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
論文頁數:2
中文關鍵詞:砷化銦紅外線偵測器披覆層砷化銦偵測器光電特性電機工程
外文關鍵詞:InAsInfraredDetectorPassivationZnS/native-oxideInAs detectorsElectrical and optical characteristicsELECTRICAL-ENGINEERING
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Abstract In this thesis , the electrical and optical
characteristics of InAs detectorswith various passivation
materials have been studied . By the I-V measurement ,we found
that InAs diodes with sulfide treatment or ZnS/native-oxide
passivationlayer can reduce leakage current effectively . By
comparing the signal-to-noise-ratio and specific detectivity (
D* ) , the results indicate that InAs infrareddetectors work
best at 77 K . Besides , it also indicates that the InAs
detectorwith ZnS/native-oxide passivation has the best signal-
to-noise ratio andspecific detectivity .Its maximum signal-to-
noise ratio and specific detectivityvalue are about 426.86 and
1.67*1010 cmHz1/2/W respectively . By summarizing theresults the
electrical and the optical characteristics of InAs detectors ,
wecan conclude that the two-layer stacked ZnS/native-oxide
structure is anexcellent and suitable passivation for InAs
infrared detector .

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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