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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:余泰成
論文名稱:具方向性晶種成長AgGaS2AgGa2和AgGa(S0.1Se0.9)2單晶
論文名稱(外文):Growth Single Crystal AgGaS2, AgGaSe2 And AgGa(S0.1Se0.9)2 With Oriented Directional Seed
指導教授:張振雄
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:光電工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
論文頁數:69
中文關鍵詞:方向性單晶
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  本研究是以垂直布氏長晶法來成長AgGaS2 AgGa(S1-xSex)2這幾顆晶體並對晶體來做其電性及物性分析EPMA Raman X-ray PL FTIR DTA 來分析AgGaS2 AgGa(S1-xSex)2 這些紅外線非線性晶體。晶體成長的過程中,藉著長晶的速率改變,來克服晶體的脆裂。並且在這些四元成分生長的晶體中,我們得到其能隙變化有線性關係,及在C、A軸有線性關係。AgGaS2 、AgGaSe2、AgGa(S0.1Se.9)2晶體在紅外光譜中通光範圍分別為0.48-14um、及0.705-19.45um、0.679-19.275um。AgGa(S0.1Se.9)2在拉曼光譜原子在晶體中振動模式類似AgGaSe2。


  In this study, AgGaS2 AgGaSe2 and AgGa(S0.1Se.9)2 single crystal were growth by Vertical Bridgman method. By changing the growth rate,we can decreased the crack occured in the crystals. Using X-ray PL,FTIR,DTA Raman spectrum, EPMA these measurements, we find these crystals' electrical and optical properties.
  The linear relationship was found between the bandgap and lattice constant of axis a and c within these crystals. From FTIR meansurement, we obtain transmission range of these crystals AgGaS2 AgGaSe2 and AgGa(S0.1Se.0.9)2:0.48-14um 0.705-19.45um 0.679-19.275u m respectively. As for Raman shift, cruystal of AgGa(S0.1Se0.9)2 shows the result simlar to those of the AgGaSe2 .

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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