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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:陳重安
研究生(外文):Chen, Chong-An
論文名稱:以濺鍍方式沉積鎢-矽-氮擴散障礙層在銅金屬化應用上之研究
論文名稱(外文):Physical Vapor Deposition of Tungsten-Silicon-Nitride Diffusion Barrier for Copper Metallization
指導教授:林鵬林鵬引用關係孫喜眾
指導教授(外文):Lin, PengSun, Xi-Zhong
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:材料科學與工程研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
中文關鍵詞:反應式濺鍍法銅金屬化銅擴散障礙層
外文關鍵詞:W5Si3WSi2
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在本論文中,我們分別研究以反應式濺鍍法濺射W5Si3 和WSi2靶製成WSi(N)膜在銅
金屬化上之應用。發現在銅擴散障礙層的影響因素不僅僅是厚度,其薄膜結構的變
化亦是因素之一。而非結晶性結構的WSiN被發現是介於銅及矽之間最有效的阻擋層
。本實驗分別利用測量其漏電程度,並使用X 光繞射、二次離子質譜儀、掃瞄式電
子顯微鏡以利觀察其實驗變化。
在以濺鍍方式沉積鎢- 矽 -氮化合物的研究中,我們探討在各種不同的氮含量下,
薄膜的物性與電性對與退火處理後的熱穩定性之影響,並成功地找出最佳化的沉積
條件。在最佳條件下,從W5Si3 靶所得的60奈米厚的鎢- 矽 -氮擴散障礙層對銅的
熱穩定度可達攝氏650 度; 相同最佳條件下,從WSi2靶所得的60奈米厚的鎢- 矽 -
氮擴散障礙層對銅的熱穩定度更可達攝氏700 度。原因在於矽原子的摻入增加,使
的結晶溫度上升,也同時降低了銅在晶界的擴散。

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