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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:黃家雯
研究生(外文):Huang, Jia-Wen
論文名稱:研磨粉體對二氧化矽薄膜之化學機械研磨特性研究
論文名稱(外文):Characterization of Abrasives for Chemical-Mechanical Polishing of Silicon Dioxide Thin Films
指導教授:馮明憲馮明憲引用關係蔡明時
指導教授(外文):Feng, Ming-XianCai-Ming-Shi
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:材料科學與工程研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
中文關鍵詞:研磨粉體二氧化矽薄膜化學機械研磨特性
外文關鍵詞:Chemical-Mechanical PolishingSilicon Dioxide Thin Films
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在本研究中,我們發現有稜角的研磨粉體會比圓滑狀的研磨粉體有較高的磨除率。
由磨耗的觀點來看,粉體單位晶格內原子的堆疊越緊密,其硬度值愈大,而致使有
較高的磨除率。此外,磨除率與粉體表面積亦有密切的關係,當粉體的表面積愈大
,其所擁有的化學活性基亦愈多,則其晶圓作用的範圍亦愈大,此可解釋其研磨速
率較快,同時易造成粉體彼此間容易集結在一起而導致較寬化的粒度分佈。
研磨漿料所虛的溶液pH值亦對研磨效率有顯著的影響,研磨粉體與晶圓所帶有的表
面電位亦會影響研磨結果。當研磨粉體與晶圓表面帶有相反電性而彼此之間呈現引
力關係時,會較彼此帶同電性而呈現斥力關係時,有較大的研磨速率。研磨粉體與
晶圓表面接近的程度與電雙層厚度有關,研磨漿料中所含的離子強度愈強,其所造
成的電雙層厚度會愈薄,因而粉體較易作用在晶圓表面,而有較高的磨除率。最後
我們提出了一個模擬晶圓表面與研磨粉體間,於不同pH值環境下相互靜電作用力大
小的模型,研磨速率與表面靜電作用力相吻合並驗證於ZrO2,AlO3及CeO2粉體研磨
二氧化矽薄膜的實驗上。
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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