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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:楊欽勝
論文名稱:由鎳鐵(Ni81Fe19)濺鍍薄膜製作磁阻感測元件原型之製程研究及元件性能分析
指導教授:林景崎
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:機械工程研究所
學門:工程學門
學類:機械工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
論文頁數:69
中文關鍵詞:磁阻半導體
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  本實驗利用磁阻原理以及半導體的製程方式,製作出基本的磁感測器原型。本感測器所采用的磁性薄膜合金成份為NI81Fe19,濺鍍厚度約為250nm,此合金具有約3979A/m(50oe)的低矯頑磁場,以及約2%的適中磁阻變化率;磁性薄膜之上濺鍍SIO2約240nm,用以防止磁性薄膜氧化及磨損;元件背面則以銀作為接點,以方便量測訊號。
  元件電路線寬為15um,採用蝕刻方式製成,電路則設計採用惠司同等效電路設計並採用偏磁效應,使元件本身即有初級的訊號放大效果。元件經200℃兩個小時退火後,不易受溫度而影響本身阻值。
  元件大小為5mm×5mm;元件完成製程後,阻值約為900歐,阻值變化率約為1.774%,元件靈敏度為件的靈敏度為0.44×10-4%/AM-1,可量測磁場大小為0∼+-3.89×104A/m(+-500G),外接5V直流,輸出訊號約為0.4mV。
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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