本實驗利用磁阻原理以及半導體的製程方式，製作出基本的磁感測器原型。本感測器所采用的磁性薄膜合金成份為NI81Fe19，濺鍍厚度約為250nm，此合金具有約3979A/m(50oe)的低矯頑磁場，以及約2%的適中磁阻變化率；磁性薄膜之上濺鍍SIO2約240nm，用以防止磁性薄膜氧化及磨損；元件背面則以銀作為接點，以方便量測訊號。
元件電路線寬為15um，採用蝕刻方式製成，電路則設計採用惠司同等效電路設計並採用偏磁效應，使元件本身即有初級的訊號放大效果。元件經200℃兩個小時退火後，不易受溫度而影響本身阻值。
元件大小為5mm×5mm；元件完成製程後，阻值約為900歐，阻值變化率約為1.774%，元件靈敏度為件的靈敏度為0.44×10-4%/AM-1，可量測磁場大小為０∼＋－3.89×104A/m(+-500G)，外接5V直流，輸出訊號約為0.4mV。
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