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本實驗的目的，利用改變電漿鍍膜參數，進而探討C6F6與HMDSO在電漿環
境中混合後可能進行的反應機構方式，與薄膜有可能的組成形態。在探討
電漿鍍膜的結果上，利用霍式紅外線光譜儀(Fourier transformation
infrared spectrum；FT-IR)與電子能譜儀(Electron Spectroscopy for
Chemical Analysis；ESCA)等分析儀器，以確實了解利用電漿聚合反應鍍
膜後，薄膜的化學組成變化。 本實驗中發現，實驗起始物C6F6在改變電
漿鍍膜功率的變化上，在電漿功率大於100w後，起始物上的苯環雙鍵結構
全被解離進而參與電漿聚合反應。HMDSO在鍍膜功率改變的影響上，並無
巨大變化。 混合HMDSO與C6F6在300w電漿功率中聚合，實驗結果包括FT-
IR , ESCA與鍍膜速率的結果，都發現隨著混合比例的改變，薄膜的形態
與組成上有三階段的轉變。第一區的表現類似於HMDSO鍍膜的結果；第三
區的表現近似於C6F6鍍膜結果；而第二區的表現是HMDSO與C6F6混合後所
產生新型的結構狀態。這樣隨比例而改變的狀況，是由於C6F6與HMDSO混
合反應時的反應機構所造成。在反應機構的討論上，發現主要是由於C6F6
解離之後的氟自由基所產生的效應造成。包括有(1)副產物的產生(2)氟的
蝕刻效應。 改用較低電漿鍍膜功率100w時，實驗結果與300w狀況類似，
但是由氟所造成的效應較不明顯。在更低功率50w時的結果頗為複雜，因
為起始物C6F6未能完全解離參與聚合反應，使得薄膜中有起始物苯環上的
雙鍵結構存在。50w時由氟所造成之效應，亦不如300w與50w時表現明顯。
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